国家知识产权局信息显示，北京智创芯源科技有限公司申请一项名为“材料生长温度的优化方法、装置、设备、程序产品和系统”的专利，公开号CN121896720A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体生长领域，公开了材料生长温度的优化方法、装置、设备、程序产品和系统，方法包括获取目标材料的预设生长温度曲线；在至少一个目标生长时间节点，利用电子束照射生长在衬底上的目标材料，以在目标材料中形成缺陷的起点；当目标材料生长结束，获取与目标生长时间节点对应的缺陷的信息，信息包括缺陷的尺寸和形状；基于缺陷的信息，确定与目标生长时间节点对应的设定温度的状态，状态包括设定温度偏高和设定温度偏低；基于状态，调整与目标生长时间节点对应的设定温度，直至衬底上目标材料生长表面的温度稳定在目标生长温度。本申请可以解决现有的非接触式控温测量重复性差、对表面温度判断不够直接的问题。

天眼查资料显示，北京智创芯源科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10945.6522万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智创芯源科技有限公司参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息132条，此外企业还拥有行政许可3个。

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作者：情报员